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公开/公告号CN110289548B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 威科赛乐微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201910523733.6
发明设计人 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗;
申请日2019-06-17
分类号H01S5/024(20060101);H01S5/0234(20210101);H01S5/183(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人彭啟强
地址 404040 重庆市万州区万州经开区高峰园B02
入库时间 2022-08-23 11:41:48
机译: 使用表面发射型半导体激光器件的制造方法形成的VCSEL器件,平板发射型半导体激光器件的制造方法,使用该平板发射型半导体激光器件的光传输模块,光收发器模块,光通信系统
机译: VCSEL具有改善的光提取的高效氧化型VCSEL及其制造方法
机译:具有X形垂直腔的制造效率高的倒装芯片可粘合850 nm VCSEL
机译:通过无电介质方法制造的低阈值电流密度,低电阻氧化物限制的VCSEL
机译:FLUXLEESS FLIP芯片焊接的一种新方法
机译:制造芯片实验室微流体平台的替代方法。
机译:可重复使用的世界级芯片连接器的研讨会具有成本效益和简化的制造方法用于处理数量有限的样品和组装芯片阵列
机译:实现10 GB / S 4通道VCSELS驱动芯片的输出稳定基于时分传感方法
机译:制造技术和制造高效率,高功率Gaas读取型ImpaTT二极管的制造方法和技术程序。