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公开/公告号CN110129771B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN201910307366.6
发明设计人 邵涛;孔飞;章程;张帅;张鹏浩;
申请日2019-04-16
分类号C23C16/56(20060101);C23C16/54(20060101);C23C16/515(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人尚素丽
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2022-08-23 11:39:56
机译: 将铜铟镓硒太阳能电池的叠层即薄膜沉积在玻璃基板上的方法真空镀膜系统,包括热处理和冷却吸收剂层,用于稳定层组成
机译: 坩埚组件,一种用于控制其加热装置的方法以及一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备包括能够显着提高用于加热和蒸发有机材料的工作效率的薄膜沉积设备
机译: 薄膜沉积系统的镀膜剂组装
机译:脉冲激光沉积镀膜工艺中不同靶材制备方法对La0.72Ca0.28MnO3薄膜电学性能和激光感生电压的影响
机译:脉冲激光沉积镀膜工艺中不同靶材制备方法对La0.72Ca0.28Mn03薄膜电学性能和激光感生电压的影响
机译:专利申请批准过程中的“有机薄膜沉积设备,有机电子元件制造设备和有机薄膜沉积方法”
机译:电池供电的薄膜沉积工艺,用于太空望远镜的镀膜
机译:开发用于低污染黄铁矿薄膜沉积的共沉积方法。
机译:新型溅射镀膜系统直接沉积的薄膜应变计的研制表征和高温适应性
机译:钒酸乙酰丙酮酯前驱体和六羰基钨混合物的APCVD沉积氧化钒和钨/钒混合氧化物薄膜光学镀膜
机译:使用飞行时间(TOF)离子束分析方法对薄膜沉积过程进行原位分析