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公开/公告号CN110379917B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201910557396.2
发明设计人 闵泰;林昊文;周雪;王蕾;
申请日2019-06-25
分类号H01L43/08(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人李红霖
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 11:39:55
机译: 利用自旋转矩隧道结的多层磁性随机访问存储器及多层磁性随机访问存储器的写入状态方法
机译: 使用自旋转矩磁性隧道结的多层磁性随机存取存储器及其写入状态的方法
机译: 提供一种使用牺牲插入层的可用于自旋转移矩磁性器件的垂直磁性各向异性磁结的方法
机译:低写入电流磁性随机存取存储单元的写入线插入磁性隧穿结的性能
机译:使用多层合成反铁磁结构增强低开关拨动磁性随机存取存储器的写入裕量
机译:磁性随机存取存储单元中磁性隧道结的介质隧道RC器件模型
机译:高通量表征系统探测基于MgO的磁性隧道结的写入错误率和随机电报噪声
机译:纳米结构中的量子磁性:二维近藤晶格中的磁性隧道结和反铁磁性。
机译:基于磁性隧道结中磁性态跃迁的纳米级真随机位发生器
机译:纳米磁性研究:磁性隧道结中的Co / Ni多层,超导微波腔中的纳米磁体以及磁性多层纳米线
机译:Co / pd多层膜的磁性和磁光性质以及畴结构