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应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法

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本发明提供了一种集成电路的p-型场效应晶体管(PFET)(10)和n-型场效应晶体管(NFET)(12)。经由仅设置在PFET(10)而不是NFET(12)的源极和漏极区(111)中的晶格错配半导体层例如硅锗，将第一应变施加到PFET(10)而不是NFET(12)的沟道区(20)中。本发明提供了一种PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在这些区域中蚀刻沟槽，从而变成PFET的源极和漏极区(111)，使晶格错配的硅锗层(121)外延生长在其中，以便将应变施加到与其相邻的PFET的沟道区。使一层硅(14)生长在硅锗层(121)之上，由这层硅形成硅化物(68)，从而提供了低电阻的源极和漏极区(111)。

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公开/公告号CN100428497C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200480021901.3
发明设计人陈华杰;杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥;奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫;安·L.·斯迪根;海宁·S.·杨;
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申请日2004-08-04
分类号H01L31/0328(20060101);H01L31/0336(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人屠长存
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:01:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-04-10

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/0328 变更前: 变更后: 登记生效日:20130319 申请日:20040804

专利申请权、专利权的转移
2008-10-22

授权

授权
2006-10-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-09-06

公开

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