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利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质

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摘要

本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤。

1. 利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质 [P] . 中国专利： CN109930130B . 2021.04.09
2. 利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质 [P] . 中国专利： CN109930130A . 2019-06-25
3. METHOD FOR MANUFACTURING TANTALUM CARBIDE (TaC) COATING LAYER USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) AND PHYSICAL PROPERTIES OF TANTALUM CARBIDE MANUFACTURED USING SAME [P] . 韩国专利： KR20200067781A . 2020-06-12

机译：使用化学气相沉积（CVD）制造碳化钽（TaC）涂层的方法以及使用相同方法制造的碳化钽的物理性质
4. METHOD OF MANUFACTURING TaC COATING LAYER USING CVD AND PROPERTY OF TaC MANUFACTURED USING THE SAME [P] . 日本专利： JP2019108611A . 2019-07-04

机译：使用CVD制造TaC涂层的方法以及使用同一方法制造的TaC的性能
5. process for the manufacture of a cast and a conductive coating from gatd materi - eel with contactstuk and contactstuk far - made according to the method. [P] . NL7707032A . 1977-12-28

机译：由gatd materi制造的铸件和导电涂层的工艺-带有contactstuk和contactstuk的鳗鱼-按照该方法进行制造。