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METHOD FOR MANUFACTURING TANTALUM CARBIDE (TaC) COATING LAYER USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) AND PHYSICAL PROPERTIES OF TANTALUM CARBIDE MANUFACTURED USING SAME

机译:使用化学气相沉积(CVD)制造碳化钽(TaC)涂层的方法以及使用相同方法制造的碳化钽的物理性质

摘要

The present invention relates to a method for manufacturing a material containing a TaC material having a particularly low impurity content and a TaC material formed thereby. The method for manufacturing a TaC material having a low impurity content according to an aspect of the present invention includes the steps of: preparing a base material; and forming a TaC coating layer on a surface of the base material at a temperature of 1,600-2,500C.;COPYRIGHT KIPO 2020
机译:本发明涉及一种用于制造包含具有特别低的杂质含量的TaC材料的材料和由此形成的TaC材料的制造方法。根据本发明的一个方面的用于制造具有低杂质含量的TaC材料的方法包括以下步骤:制备基础材料;和并在1,600-2,500C的温度下在基材表面上形成TaC涂层。; COPYRIGHT KIPO 2020

著录项

  • 公开/公告号KR20200067781A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKAI CARBON KOREA CO. LTD.;

    申请/专利号KR20200063420

  • 发明设计人 JO DONG WAN;

    申请日2020-05-27

  • 分类号C23C16/32;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:06:47

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