一种碳化硅肖特基钳位晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅肖特基钳位晶体管，包括一N+型衬底集电区(1)，位于所述N+型衬底集电区的一N型集电区(2)和一P型基区(3)；位于所述P型基区的一N+型发射区(4)，所述N+型发射区(4)内设置一P+型基区接触区(5)；氧化隔离层(6)，所述氧化隔离层(6)位于N+发射区(4)的侧壁和P型基区(3)以及N型集电区(2)的侧壁；本发明还提供了肖特基钳位晶体管的制备方法，利用碳化硅不同晶面的氧化速率不同，Ni金属和N型P型碳化硅形成接触现象不同的特性，大幅降低了器件制备工艺难度和成本。