首页> 外国专利> A transistor circuit with a schottky diode - blocking layer as a clamping diode and method for their preparation

A transistor circuit with a schottky diode - blocking layer as a clamping diode and method for their preparation

机译:具有肖特基二极管阻挡层作为钳位二极管的晶体管电路及其制备方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE2264322B2

    专利类型

  • 公开/公告日1977-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE19722264322

  • 发明设计人

    申请日1972-12-30

  • 分类号H01L29/48;H01L27/00;H01L23/56;H01L21/24;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 00:08:17

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号