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Schottky barrier diodes and Schottky barrier diodes clamped transistors and methods for fabricating them

机译：肖特基势垒二极管和肖特基势垒二极管钳位晶体管及其制造方法

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  • 公开/公告号KR930005234A

    专利类型

  • 公开/公告日1993-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 존 지.웨브;

    申请/专利号KR19910014120

  • 发明设计人 밴처드 드롱;

    申请日1991-08-16

  • 分类号H01L29/40;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 05:04:36

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