公开/公告号CN107799582B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201710986479.4
申请日2017-10-20
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:35:38
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译: 用于变频器模块的绝缘栅双极型晶体管功率半导体组件,其杂质浓度较高的掺杂剂区域远离沟槽结构的基部并位于p-n结的空间电荷区域中