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周桂林; 张金城; 沈震; 杨帆; 姚尧; 钟健; 郑越; 张佰君; 敖金平; 刘扬;
氮化镓; 二氧化硅; 场效应管; 等离子增强化学气相沉积; 陷阱; 正向偏压;
机译:在硅衬底上使用HfO_2栅绝缘体对AlGaN / GaN凹陷型金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管进行或不进行栅后退火处理的特性和界面状态的比较研究
机译:阈值电压超过+ 1.5V的增强型绝缘栅AllnN / AIN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:基于累积电荷修正的注入增强型绝缘栅双极型晶体管浮基效应的紧凑模型
机译:光电化学氧化法生长栅绝缘子的AlGaN / GaN MOS-HEMT的研究与制备
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:新型功率半导体绝缘栅双极晶体管(IGBT)特性研究及其在汽车点火中的应用
机译:一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:电荷平衡特性绝缘栅双极晶体管
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