公开/公告号CN110491967B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
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申请/专利权人 电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川晶辉半导体有限公司;成都智芯微科技有限公司;上海联芯微电子科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;
申请/专利号CN201910823544.0
申请日2019-09-02
分类号H01L31/173(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构13113 石家庄科诚专利事务所(普通合伙);
代理人刘兰芳
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:33:41
机译: 差分SG / EG隔离器集成,具有等效的NFET / PFET隔离器宽度,以及表盘凸起的源漏外延硅和三氮化物隔离器集成,可在FDSOI上实现高压EG器件
机译: 制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译: 完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件