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Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces
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1.
Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films
机译:
使用(Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9(SSBT)薄膜表征金属-铁电金属-绝缘体-半导体(MFMIS)FET
作者:
Hirokazu Saiki
;
Eisuke Tokumitsu
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
2.
On the thermal re-oxidation of silicon oxynitride
机译:
氮氧化硅的热重氧化
作者:
Arturo Morales-Acevedo
;
G. Francisco Perez-Sanchez
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
3.
Atomic-scale investigation of the dielectric screening at the interface between silicon and its oxide
机译:
硅与氧化物之间界面介电屏蔽的原子尺度研究
作者:
Feliciano Giustino
;
Alfredo Pasquarello
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
4.
AlON thin films formed by ECR plasma oxidation for high-k gate insulator application
机译:
通过ECR等离子体氧化形成的AlON薄膜用于高k栅极绝缘体的应用
作者:
Go Yamanaka
;
Takafumi Uchikawa
;
Shun-ichiro Ohmi
;
Tetsushi Sakai
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
5.
Point defects in thin HfAlO_X films probed by monoenergetic positron beams
机译:
单能正电子束探测HfAlO_X薄膜中的点缺陷
作者:
Akira Uedono
;
Riichiro Mitsuhashi
;
Atsushi Horiuchi
;
Kazuyoshi Torii
;
Kikuo Yamabe
;
Keisaku Yamada
;
Ryouichi Suzuki
;
Toshiyuki Ohdaira
;
Tomohisa Mikado
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
关键词:
hybrid electric vehicle, control, adaptive;
6.
p-type in ZnO:N by codoping with Cr
机译:
与Cr共掺杂在ZnO:N中的p型
作者:
E. Kaminska
;
A. Piotrowska
;
J. Kossut
;
R. Butkute
;
W. Dobrowolski
;
K. Golaszewska
;
A. Barcz
;
R. Jakiela
;
E. Dynowska
;
E. Przezdziecka
;
D. Wawer
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
7.
Properties of Ultra-Thin Thermal Silicon Nitride
机译:
超薄热氮化硅的性质
作者:
Katherine M. Buchheit
;
Hideki Takeuchi
;
Tsu-Jae King
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
8.
Characterization of the Electronic Structure and Optical Properties of Al_2O_3, ZrO_2 and SrTiO_3 from Analysis of Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy in the Valence Region
机译:
通过价域反射电子能量损失谱分析表征Al_2O_3,ZrO_2和SrTiO_3的电子结构和光学性质
作者:
G. L Tan
;
L. K. Denoyer
;
R. H. French
;
A. Ramos
;
M. Gautier-Soyer
;
Y. M. Chiang
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
9.
Conductance transient comparative analysis of ECR-PECVD deposited SiN_x, SiO_2VSiN_x and SiO_xN_y dielectric films on silicon substrates
机译:
ECR-PECVD在硅衬底上沉积的SiN_x,SiO_2VSiN_x和SiO_xN_y介电膜的电导瞬态比较分析
作者:
H. Castan
;
S. Duenas
;
J. Barbolla
;
A. Del Prado
;
E. San Andres
;
I. Martil
;
G. Gonzalez-Diaz
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
10.
Nitrided Hafnium Silicate Film Formation by Sequential Process Using a Hot Wall Batch System and Its Application to MOS Transistor
机译:
热壁间歇式顺序过程氮化硅化Ha硅酸盐膜的形成及其在MOS晶体管中的应用
作者:
Tomonori Aoyama
;
Kazuyoshi Torii
;
Riichirou Mitsuhashi
;
Takeshi Maeda
;
Satoshi Kamiyama
;
Atsushi Horiuchi
;
Hiroshi Kitajima
;
Tsunetoshi Arikado
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
11.
Ultra Shallow Incorporation of Nitrogen into Gate Dielectrics by Pulse Time Modulated Plasma
机译:
通过脉冲时间调制等离子体将氮超浅掺入栅极电介质
作者:
Seiichi Fukuda
;
Yoshimune Suzuki
;
Tomoyuki Hirano
;
Takayoshi Kato
;
Akihide Kashiwagi
;
Masaki Saito
;
Shingo Kadomura
;
Youichi Minemura
;
Seiji Samukawa
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
12.
Flat-band Voltage Shift of MOS Capacitors with Tantalum Nitride Gate Electrodes Induced by Post Metallization Annealing
机译:
后金属化退火引起的具有氮化钽栅电极的MOS电容器的平带电压漂移
作者:
M. Kadoshima
;
K. Yamamoto
;
H. Fujiwara
;
K. Akiyama
;
K. Tominaga
;
N. Yamagishi
;
K. Iwamoto
;
M. Ohno
;
T. Yasuda
;
T. Nabatame
;
A. Toriumi
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
13.
Fabrication of SrRuO_3 Epitaxial Thin Films on YBa_2Cu_3O_x / CeO_2 / YSZ - Buffered Si Substrates by Pulsed Laser Deposition
机译:
脉冲激光沉积法在YBa_2Cu_3O_x / CeO_2 / YSZ-缓冲Si衬底上制备SrRuO_3外延薄膜。
作者:
Takamitsu Higuchi
;
Koichi Morozumi
;
Setsuya Iwashita
;
Masaya Ishida
;
Tatsuya Shimoda
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
14.
Growth of Perovskites with Crystalline Interfaces on Si(100)
机译:
Si(100)上具有晶体界面的钙钛矿的生长
作者:
G. J. Norga
;
A. Guiller
;
C. Marchiori
;
J. P. Locquet
;
H. Siegwart
;
D. Halley
;
C. Rosscl
;
D. Caimi
;
J. W. Seo
;
J. Fompeyrine
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
15.
Bonding and Epitaxial Relationships at High-K Oxide :Si interfaces
机译:
高K氧化物:Si界面的键合和外延关系
作者:
J Robertson
;
P W Peacock
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
16.
Characterization of High-k Dielectrics by Combined Spectroscopic Ellipsometry (SE) and X-Ray Reflectometry (XRR)
机译:
结合光谱椭圆偏振法(SE)和X射线反射仪(XRR)表征高k电介质
作者:
L.Sun
;
C. Defranoux
;
J.L. Stehle
;
P. Boher
;
P. Evrard
;
E. Bellandi
;
H. Bender
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
17.
Electronic structure of Zn(Mn)O surface alloy - a resonant photoemission study
机译:
Zn(Mn)O表面合金的电子结构-共振光发射研究
作者:
E. Guziewicz
;
K. Kopalko
;
J. Sadowski
;
M. Guziewicz
;
Z. Golacki
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
18.
Oxide-Semiconductor Interface Characterization Using Kelvin Probe-AFM In Combination With Corona-Charge Deposition
机译:
开尔文探针-AFM与电晕电荷沉积相结合的氧化物半导体界面表征
作者:
Bert Laegel
;
Maria D. Ayala
;
Elena Oborina
;
Rudy Schlaf
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
19.
Oxide Reduction in Advanced Metal Stacks for Microelectronic Applications
机译:
用于微电子应用的高级金属堆中的氧化物还原
作者:
Wentao Qin
;
Alex A. Volinsky
;
Dennis Werho
;
N. David Theodore
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
20.
Silicate interface formation during the deposition of Y_2O_3 on Si
机译:
Y_2O_3在Si上沉积过程中硅酸盐界面的形成
作者:
C. Durand
;
C. Vallee
;
C. Dubourdieu
;
M. Bonvalot
;
E. Gautier
;
O. Joubert
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
21.
Passivation of Oxide Layers on 4H-SiC Using Sequential Anneals in Nitric Oxide and Hydrogen
机译:
使用一氧化氮和氢气中的顺序退火对4H-SiC上的氧化物层进行钝化
作者:
J. R. Williams
;
T. Isaacs-Smith
;
S. Wang
;
C. Ahyi
;
R. M. Lawless
;
C.C. Tin
;
S. Dhar
;
A. Franceschetti
;
S.T. Pantelides
;
L.C. Feldman
;
G. Chung
;
M. Chisholm
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
22.
Substrate/oxide interface interaction in LaAlO_3/Si structures
机译:
LaAlO_3 / Si结构中的衬底/氧化物界面相互作用
作者:
T. Busani
;
R.A.B. Devine
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
23.
Selective Deposition of C-axis Oriented Pb_5Ge_3O_(11) on the Patterned High k Gate Oxide by MOCVD Processes
机译:
MOCVD工艺在图案化的高k栅极氧化物上选择性沉积C轴取向Pb_5Ge_3O_(11)
作者:
Tingkai Li
;
Sheng Teng Hsu
;
Bruce Ulrich
;
Dave Evans
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
24.
Electron Spin Resonance Characterization of Defects at Interfaces in Stacks of Ultrathin High-κ Dielectric Layers on Silicon
机译:
电子自旋共振表征硅上超薄高κ介电层堆叠中界面的缺陷
作者:
A. L. Stesmans
;
V.V. Afanasev
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
25.
Study of metal gate work function modulation using plasma and SiH_4 treated TiN thin films
机译:
等离子体和SiH_4处理的TiN薄膜对金属栅极功函数调制的研究
作者:
F. Fillot
;
S. Maitrejean
;
T. Farjot
;
B. Guillaumot
;
B. Chenevier
;
G. Passemard
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
26.
Study of HfAlOx Films Deposited by Layer-by-Layer Growth for CMOS High-k Gate Dielectrics
机译:
CMOS高k栅极介质逐层生长沉积的HfAlOx薄膜的研究
作者:
Akira Toriumi
;
Toshihide Nabatame
;
Tsuyoshi Horikawa
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
27.
Structural Comparisons of SiO_x and Si/SiO_x Formed by Passivation of Single-Crystal Silicon by Atomic and Molecular Oxygen
机译:
原子氧和分子氧钝化单晶硅形成的SiO_x和Si / SiO_x的结构比较
作者:
Maja Kisa
;
Ray D. Twesten
;
Judith C. Yang
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
28.
Elementary processes during the epitaxial growth of metal oxides: MgO/MgO(001)
机译:
金属氧化物外延生长过程中的基本过程:MgO / MgO(001)
作者:
Gregory Geneste
;
Joseph Morillo
;
Fabio Finocchi
;
Marc Hayoun
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
29.
The Oxide/Nitride Interface: a study for gate dielectrics and field passivation
机译:
氧化物/氮化物界面:栅极电介质和场钝化的研究
作者:
B.P. Gila
;
B. Luo
;
J. Kim
;
R. Mehandru
;
J.R. LaRoche
;
A.H. Onstine
;
E. Lambers
;
K. Siebein
;
C.R. Abernathy
;
F. Ren
;
S.J. Pearton
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
30.
Structural and Electrical Properties of HfO_2 Films Grown by Atomic Layer Deposition on Si, Ge, GaAs and GaN
机译:
Si,Ge,GaAs和GaN上原子层沉积生长的HfO_2薄膜的结构和电学性质
作者:
Marco Fanciull
;
Sabina Spiga
;
Giovanna Scarel
;
Grazia Tallarida
;
Claudia Wiemer
;
Gabriele Seguini
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
31.
Liquid Injection MOCVD of Rare-Earth Oxides Using New Alkoxide Precursors
机译:
使用新型醇盐前体的液相注入MOCVD稀土氧化物
作者:
Paul A. Williams
;
Anthony C. Jones
;
Helen C. Aspinall
;
Jeffrey M. Gaskell
;
Paul R. Chalker
;
Paul A. Marshall
;
Yim F. Loo
;
Lesley M. Smith
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
32.
Precise Characterization of Silicon on Insulator (SOI) and Strained Silicon on Si_(1_x)Ge_x on Insulator (SSOI) Stacks with Spectroscopic Ellipsometry
机译:
光谱椭偏仪精确表征绝缘体上的硅(SOI)和绝缘体上的Si_(1_x)Ge_x(SSOI)上的应变硅
作者:
Lianchao Sun
;
Jean-Claude Fouere
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
33.
Optical and Dielectric Properties of Eu- and Y-Polytantalate Thin Films
机译:
Eu-和Y-多钽酸盐薄膜的光学和介电性能
作者:
Vladimir Vasilyev
;
Alvin Drehman
;
Helen Dauplaise
;
Lionel Bouthillette
;
Mark Roland
;
Alex Volinsky
;
Stefan Zollner
;
Wentao Qin
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
34.
Ab-initio study on the γ-Al_2O_3 surfaces and interfaces
机译:
从头开始研究γ-Al_2O_3表面和界面
作者:
Henry P. Pinto
;
Simon D. Elliott
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
35.
Atomic Layer Deposition of Silica and Group IV Metal Oxides Nanolaminates
机译:
二氧化硅和IV组金属氧化物纳米叠层的原子层沉积
作者:
Lijuan Zhong
;
Fang Chen
;
Stephen A. Campbell
;
Wayne L. Gladfelter
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
36.
Atomic Scale Modeling of ZrO_2 and HfO_2 Atomic Layer Deposition on Silicon: Linking Density Functional Theory and Kinetic Monte Carlo
机译:
硅上ZrO_2和HfO_2原子层沉积的原子尺度建模:链接密度泛函理论和动力学蒙特卡洛
作者:
A. Esteve
;
L. Jeloaica
;
G. Mazaleyrat
;
A. Dkhissi
;
M. Djafari Rouhani
;
A. Ali Messaoud
;
N. Fazouan
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
37.
DETERMINATION OF NANO FLUCTUATIONS IN SURFACE OXIDES OF GaSb WITH Br-IBAE
机译:
Br-IBAE测定Gasb表面氧化物中的纳米波动
作者:
K. Krishnaswami
;
B. Krejca
;
S.R. Vangala
;
C. Santeufemio
;
L.P. Allen
;
M. Ospina
;
X. Liu
;
C. Sung
;
K. Vaccaro
;
W.D. Goodhue
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
38.
Crystallinity and Wet Etch Behavior of HfO_2 Films Grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的HfO_2薄膜的结晶度和湿蚀行为
作者:
Katherine L. Saenger
;
Cyril Cabral
;
Jr.
;
Paul C. Jamison
;
Edward Preisler
;
Andrew J. Kellock
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
39.
Silicide Formation at HfO_2/Si and ZrO_2/Si Interfaces Induced by Ar~+ Ion Bombardment
机译:
Ar〜+离子轰击在HfO_2 / Si和ZrO_2 / Si界面形成硅化物
作者:
Yu. Lebedinskii
;
A. Zenkevich
;
D. Filatov
;
D. Antonov
;
J. Gushina
;
G. Maximov
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
40.
Stability of Nitrogen and Hydrogen in High-k Dielectrics
机译:
高k电介质中氮和氢的稳定性
作者:
K.P. Bastos
;
R.P. Pezzi
;
L. Miotti
;
G.V. Soares
;
C. Driemeier
;
J. Morais
;
I.J.R. Baumvol
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
41.
The band alignment problem at the Si-high-k dielectric interface
机译:
Si-high-k介电界面的能带对准问题
作者:
A.A. Demkov
;
L.R.C. Fonseca
;
J. Tomfohr
;
O.F. Sankey
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
42.
Disorder Characterization of Oxide/Silicon Interfaces from Ⅰ-Ⅴ Curves
机译:
从Ⅰ-Ⅴ曲线看氧化物/硅界面的无序表征
作者:
Louis Nemzer
;
Fredy R. Zypman
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
43.
Electrical Characteristics of Metal - (La_(0.27)Y_(0.73))_2O_3 - Silicon Capacitors
机译:
金属的电特性-(La_(0.27)Y_(0.73))_ 2O_3-硅电容器
作者:
E. J. Preisler
;
N. A. Bojarczuk
;
S. Guha
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
44.
Investigation of Retention Properties for YMnO_3 Based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Capacitors
机译:
YMnO_3基金属/铁电/绝缘子/半导体电容器的保持性能研究
作者:
T. Yoshimura
;
D. Ito
;
H. Sakata
;
N. Shigemitsu
;
K. Haratake
;
A. Ashida
;
N. Fujimura
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
45.
Study of work function of CVD WSi_x thin film on high K dielectric
机译:
高K介质上CVD WSi_x薄膜功函数的研究。
作者:
S.Maitrejean
;
S.Allegret
;
F.Fillot
;
T.Farjot
;
B.Guillaumot
;
G.Passemard
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
46.
Improved structural properties of sputtered hafnium dioxide on silicon and silicon oxide for semiconductor and sensor applications
机译:
改善了在半导体和传感器应用中在硅和氧化硅上溅射二氧化dioxide的结构性能
作者:
H. Grueger
;
Ch. Kunath
;
E. Kurth
;
W. Pufe
;
S. Sorge
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
47.
Microstructure and Electrical Properties of Zinc Oxide Thin Film Varistors Prepared by RF Sputtering
机译:
射频溅射制备氧化锌薄膜压敏电阻的微观结构和电性能
作者:
Keng-Ming Chang
;
Chuan-Pu Liu
;
Chon-Ming Tsai
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
48.
Influence of Nitrogen Bonds on electrical properties of HfAlO_X(N) films fabricated through LL-DA process using NH_3
机译:
氮键对采用NH_3的LL-D&A工艺制备的HfAlO_X(N)薄膜电性能的影响
作者:
Kunihiko Iwamaoto
;
Tomoaki Nishimura
;
Koji Tominaga
;
Tetsuji Yasuda
;
Koji Kimoto
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
49.
Long Retention Performance of a MFIS Device Achieved by Introducing High-k Al_2O_3/Si_3N_4/Si Buffer Layer
机译:
通过引入高k Al_2O_3 / Si_3N_4 / Si缓冲层实现MFIS器件的长期保留性能
作者:
Yoshihisa Fujisaki
;
Kunie Iseki
;
Hiroshi Ishiwara
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
50.
Theoretical Analysis of Oxygen Diffusion in monoclinic HfO_2
机译:
单斜HfO_2中氧气扩散的理论分析
作者:
Minoru Ikeda
;
Georg Kresse
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
51.
Low-temperature growth of HfO_2 dielectric layers by Plasma-Enhanced CVD
机译:
等离子体增强CVD低温生长HfO_2介电层
作者:
M. Losurdo
;
M.M. Giangregorio
;
M. Luchena
;
P. Capezzuto
;
G. Bruno
;
D. Barreca
;
A. Gasparotto
;
E. Tondello
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
52.
On the interface quality of MIS structures fabricated from Atomic Layer Deposition of HfO_2, Ta_2O_5 and Nb_2O_5-Ta_2O_5-Nb_2O_5 dielectric thin films
机译:
HfO_2,Ta_2O_5和Nb_2O_5-Ta_2O_5-Nb_2O_5介电薄膜的原子层沉积制备的MIS结构的界面质量
作者:
S. Duefias
;
H. Castan
;
H. Garcia
;
J. Barbolla
;
K. Kukli
;
M. Ritala
;
M. Leskelae
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
53.
TRANSPARENT TRANSISTORS BASED ON SEMICONDUCTING OXIDES
机译:
基于半导电氧化物的透明晶体管
作者:
Y.W. Kwon
;
Y. Li
;
Y.W. Heo
;
M. Jones
;
Vijay Varadarajan
;
B.S. Jeong
;
J. Zhou
;
S. Li
;
P. Holloway
;
D.P. Norton
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
54.
Thermally Grown and Reoxidized Nitrides as Alternative Gate Dielectrics
机译:
热生长和再氧化的氮化物作为替代栅介质
作者:
Alexandra Ludsteck
;
Waltraud Dietl
;
Hinyiu Chung
;
Joerg Schulze
;
Zsolt Nenyei
;
Ignaz Eisele
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
55.
Field-induced reactions of water molecules at Si-dielectric interfaces
机译:
硅介电界面上水分子的场致反应
作者:
L. Tsetseris
;
X. Zhou
;
D. M. Fleetwood
;
R. D. Schrimpf
;
S. T. Pantelides
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
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2003年
56.
Growth of Scandium Magnesium Oxide on GaN
机译:
在GaN上生长氧化dium镁
作者:
Onstine. AH
;
Herrero
;
A
;
Gila
;
BP
;
Kim
;
J
;
Mehandru
;
R
;
Abernathy
;
CR
;
Ren
;
F
;
Pearton
;
SJ
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
57.
HIGH-k ZrO_2 GATE DIELECTRIC ON STRAINED-Si
机译:
应变硅上的高k ZrO_2栅介质
作者:
S. Bhattacharya
;
S. K. Samanta
;
S. Chatteriee
;
John McCarthy
;
B. M. Armstrong
;
H. S. Gamble
;
C. K. Maiti
;
T. Perova
;
A. Moore
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
58.
Hetero-Epitaxy of Crystalline Perovskite Oxides on GaAs(001)
机译:
GaAs(001)上钙钛矿型氧化物的外延外延
作者:
Y. Liang
;
J. Kulik
;
Y. Wei
;
T. Eschrich
;
J. Curless
;
B. Craigo
;
S. Smith
会议名称:
《Fundamentals of Novel Oxide/Semiconductor Interfaces》
|
2003年
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