Department of Materials Science, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:脉冲激光沉积HfO_2和Hf-铝酸盐薄膜用于高k栅极电介质应用的比较研究
机译:通过层,原子原子层轰击漏光电流降低和膜致密化ZrO2高k栅极电介质
机译:溶胶凝胶沉积的二氧化铈薄膜作为CMOS技术的栅极电介质
机译:CMOS高k栅极电介质层逐层生长沉积Hfalox膜的研究
机译:通过液源雾化化学沉积(LSMCD)方法沉积的高k材料的研究用于高级栅极电介质应用。
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:用于未来CMOS技术的掺钽氧化物高k栅极介电膜