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利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究

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本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究．

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来源
《半导体学报》 |1994年第9期|638-642|共5页
作者
陈茂瑞; 陈坤基; 姜建功; 施伟华;
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作者单位

南京大学物理系固体微结构物理实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.120;
关键词
硅; 薄膜; 逐层生长; 半导体材料;

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