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等离子体原子层生长装置及原子层生长方法

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本发明提供一种能够提高形成在基板上的膜的品质的等离子体原子层生长装置。该等离子体原子层生长装置通过使得在保持基板(1S)的下部电极(BE)和与下部电极(BE)对向配置的上部电极(UE)之间产生等离子体放电，从而在基板(1S)上以原子层为单位而形成膜，其中，具有防附着构件(CTM)，该防附着构件由在平面视角下与上部电极(UE)隔开间隔并包围着上部电极的绝缘体构成。

著录项

  • 公开/公告号CN109312460B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社日本制钢所;

    申请/专利号CN201780035111.8

  • 发明设计人 鹫尾圭亮;松本竜弥;

    申请日2017-04-24

  • 分类号C23C16/44(20060101);C23C16/455(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/316(20060101);H01L51/50(20060101);H05B33/04(20060101);H05B33/10(20060101);H05H1/46(20060101);

  • 代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人南霆;程爽

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:33:16

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