机译:使用远程和直接等离子体原子层沉积方法生长的HfO_2栅极电介质的组成,结构和电特性
机译:具有通过原子层沉积生长的HfO_2栅介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管中界面态的表征
机译:原子层沉积0.5 nm厚的Hf-硅酸盐顶层/ HfO_2栅极电介质的电性能
机译:等离子体增强原子层沉积在栅极电介质应用中生长的Ga_2O_3-TiO_2纳米混合薄膜的电学特性
机译:原子层沉积生长Al掺杂TiO2高k栅介质的结构和电学特性
机译:通过原子层沉积生长的纳米级氧化锆和氧化f电介质:结晶度,界面结构和电性能。
机译:组成界面和沉积顺序对原子层沉积在硅上生长的纳米Ta2O5-Al2O3薄膜电学性能的影响
机译:原子层沉积法制备栅介质ZrO2 / al2O3双层薄膜的特性