公开/公告号CN107430993B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 富士电机株式会社;
申请/专利号CN201680019145.3
申请日2016-10-28
分类号H01L21/205(20060101);C23C16/42(20060101);C30B25/16(20060101);C30B25/20(20060101);C30B29/36(20060101);H01L21/329(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/868(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 11:31:15
机译: 制造具有在沉积室中具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的装置,以及具有外延层的半导体晶片
机译: 沉积室中具有外延层的半导体晶片的制造方法,具有外延层的半导体晶片的制造装置以及具有外延层的半导体晶片
机译: 在沉积室中制造具有外延层的半导体晶片的方法,制造具有外延层的半导体晶片的装置以及具有外延层的半导体晶片