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碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置

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得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。

著录项

公开/公告号CN107316805A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-03

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN201710287689.4
发明设计人大野彰仁;滨野健一;金泽孝;
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申请日2017-04-27
分类号H01L21/205(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人何立波;张天舒
地址日本东京
入库时间 2023-06-19 03:38:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20170427

实质审查的生效
2017-11-03

公开

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