一种多晶硅TFT基板的制作方法及多晶硅TFT基板

摘要

本发明实施例公开了一种多晶硅TFT基板的制作方法，包括：步骤S10，在衬底基板上沉积非晶硅膜层；步骤S11，对非晶硅膜层进行准分子激光退火，形成多晶硅有源层；步骤S12，对多晶硅有源层的沟道区域进行离子掺杂，形成沟道掺杂区；步骤S13，在多晶硅有源层上沉积形成栅极绝缘层；步骤S14，向有源层多晶硅的沟道区域注入氢离子；步骤S15，在栅极绝缘层上沉积形成栅极层；步骤S16，对多晶硅有源层的源极区与漏极区进行离子掺杂，形成源极掺杂区和漏极掺杂区；步骤S17，在栅极层上沉积形成层间绝缘层；步骤S18，在层间绝缘层上形成第一过孔以及第二过孔，并分别沉积形成源电极膜层和漏电极膜层，分别与源极掺杂区和漏极掺杂区电连接。本发明还公开了相应的多晶硅TFT基板。实施本发明，可以精确控制氢原子补入的浓度和深度，并提高TFT的良率。