低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，利用化学气相沉积方法来形成N型重掺杂非晶硅层，节省一道离子掺杂的制程，且多晶硅层的图形化处理与N型重掺杂非晶硅层的图形化处理采用相同的光罩，从而节省一道光罩，降低生产成本；栅极绝缘层的厚度均匀，可有效提高TFT元件的信赖性并改善Hump现象；由于第一、第二N型重掺杂非晶硅层中掺杂的离子浓度均匀，从而避免出现过孔处源/漏极与第一、第二N型重掺杂非晶硅层的接触阻抗过大的问题，提升TFT元件特性。本发明的低温多晶硅TFT基板，制程简单，制作成本低，且TFT器件性能优异。