低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过先采用倾斜离子束对多晶硅层进行高剂量的离子植入，以形成重掺杂区，再采用垂直离子束进行低剂量的离子植入，以形成轻掺杂区，简便的制作出具有单边LDD区的薄膜晶体管，从而可以减小薄膜晶体管的热载流子效应及漏电，简化了低温多晶硅TFT基板的制作过程并降低了低温多晶硅TFT基板的制作成本。本发明的低温多晶硅TFT基板，其薄膜晶体管具有单边LDD区，可以减小薄膜晶体管的热载流子效应及漏电，且制作工艺简单，制作成本低。