ガラス基板上のhigh-k 絶縁膜を有する4 端子低温poly-Si TFT の特性

摘要

埋め込みメタルゲートを有する平面型4 端子低温poly-Si TFT を自己整合プロセスによりガラス基板上に実現している。更なる高性能化のためには、high-k ゲート絶縁膜の導入が不可欠であり、前回報告においてトップゲート(TG)にhigh-kゲート絶縁膜(HfO_2)を導入した4T LT poly-Si TFT の特性を報告した。本報告では、TG にhigh-k ゲート絶縁膜を有する平面型4端子低温poly-Si TFT において、ボトムゲート（BG）構造を変えた際のTFT の特性変化について報告する。