一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长工艺，生长工艺包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面制作出多个凹坑；S2：在所述Si衬底表面上形成AlN薄膜，使所述AlN薄膜填充满所述凹坑；S3：在所述AlN薄膜表面上生长AlGaN过渡层；S4：在所述AlGaN过渡层表面上生长GaN耐压层；S5：在所述GaN耐压层表面上生长AlN插入层；S6：在所述AlN插入层表面上生长InAlN势垒层；S7：在所述InAlN势垒层表面上生长GaN盖层。本发明获得的具有InAlN结构的势垒层的HEMT器件外延结构不仅具有高的迁移率，并且具有显著提高的高频、高功率器件性能。