以SiC为衬底GaN基HEMT器件外延生长方法

摘要

一种以SiC为衬底GaN基HEMT器件外延生长方法，属于半导体器件制备技术领域。利用电化学气相沉积方法依次将氮化钛层、氮化铝和氮化镓层沉积在衬底上，形成复合缓冲层；复合缓冲层表面利用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀孔形、柱形、条形图形中的一种或多种，呈周期性排列；然后利用MOCVD进行非掺杂的GaN外延生长和非掺杂的AlGaN外延生长；最后外延生长Si掺杂的GaN冒层。优点在于，改善了碳化硅基氮化镓材料晶格失配问题，对提升器件整体性能和良品率作用明显。