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公开/公告号CN100423232C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200610027258.6
发明设计人 宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明;
申请日2006-06-02
分类号H01L21/82(20060101);H01L45/00(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:01:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-10-01
授权
2007-01-17
实质审查的生效
2006-11-22
公开
机译: 化学机械抛光水分散液的制备装置,用于制备水分散液的化学机械抛光工艺,化学机械抛光水分散液和化学机械抛光方法
机译: 一种制备部分单次电子束曝光掩模的方法和一种使用该部分单次电子束曝光掩模直接绘制图案的方法。
机译: 制备部分单次电子束曝光掩模的方法和通过使用部分一次电子束曝光掩模的直接写入图案的方法
机译:高密度铁电存储器(Bi,La)Ti_3O_(12)镶嵌工艺中的化学机械抛光特性
机译:化学机械抛光过程中材料去除率的摩擦学方法N6Hong Jin Kim 三星电子半导体研发部门工艺开发团队,韩国京畿道华城市San#16 Banwol-Dong 445-701
机译:用于电子束曝光和掩模制造应用的化学放大负型抗蚀剂的工艺优化
机译:开发具有电子束曝光系统的半色调相移掩模制造的先进工艺
机译:用于集成巨型磁阻非易失性存储器的介电薄膜的化学机械抛光。
机译:不锈钢304(SS304)流化床化学机械抛光(FB-CMP)工艺初步研究(SS304)
机译:通过振动光谱研究和原位电子束诱导解吸研究氢倍半硅氧烷的电子束曝光机制
机译:放大钯粉生产工艺用于西南部,萨凡纳河的氚工厂/使用桑迪亚/兰花工艺制备钯的FY99-FY01结果汇总。