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电子束曝光方法及电子束曝光装置

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摘要

在以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法中，通过使在所述被曝光物上形成所述电子束照射点的电子光学系统的透过率发生变化，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 公开日:20051214 申请日:20031024

发明专利申请公布后的视为撤回
2006-02-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-12-14

公开

公开

1. 电子束曝光方法及电子束曝光装置 [P] . 中国专利： CN1708729A . 2005-12-14
2. 电子束曝光方法以及所使用的掩膜和电子束曝光系统 [P] . 中国专利： CN1297251A . 2001-05-30
3. Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus [P] . 美国专利： US6861657B2 . 2005-03-01

机译：电子束曝光掩模，电子束曝光方法，半导体装置的制造方法以及电子束曝光装置
4. Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus [P] . 美国专利： US6958201B2 . 2005-10-25

机译：电子束曝光掩模，电子束曝光方法，半导体装置的制造方法以及电子束曝光装置
5. Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus [P] . 美国专利： US2004056215A1 . 2004-03-25

机译：电子束曝光掩模，电子束曝光方法，半导体装置的制造方法以及电子束曝光装置