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一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法

摘要

本发明提出一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法,避免了由于测试针卡异常造成的量产滞后问题,并同时降低了量产的成本。本发明的测试方案包括以下步骤:1)晶圆起测;2)确定测试针卡中需要保护的关键探针,依次单独进行有关所述关键探针的测试项;若某一测试项未通过,则关断相应的失效芯片电源,然后对其他芯片继续进行下一测试项,直至完成所有的测试项;3)功能测试,即执行DRAM的各种功能测试项;4)测试结束。

著录项

  • 公开/公告号CN106887253B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201710018478.0

  • 发明设计人 王帆;黄华;

    申请日2017-01-10

  • 分类号G11C29/00(20060101);G11C29/56(20060101);

  • 代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人胡乐

  • 地址 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:22

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