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公开/公告号CN110010449B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201910283426.5
发明设计人 刘开辉;刘灿;洪浩;王卿赫;
申请日2019-04-10
分类号H01L21/04(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/363(20060101);H01L21/365(20060101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人董柏雷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:27:10
机译: -2种用于二维平面电子器件的掺杂过渡金属硫族化合物图案化的结构及其电极的制造方法
机译: 二维过渡金属硫族化物纳米材料的制备方法
机译: 图案化二维过渡金属硫族化物纳米材料的制备方法
机译:二维过渡金属双硫族化物异质结的能带对准
机译:一种简单高效的水热法剥离制备二维纳米结构H-BN / WS2异质结的方法及其在润滑脂中的摩擦性能
机译:一种简便,通用的自顶向下制备单分散过渡金属硫族硫化物纳米点的方法
机译:单层过渡金属二硫族化合物和范德华力异质结构中的激子光谱
机译:通过化学气相沉积直接合成半导体过渡金属双硫族化物单层和异质结。
机译:过渡金属双硫属化合物:用于光电电化学氢气释放的厘米级多异质结MoS2 / WS2 / WSe2薄膜催化剂的直接原位生长(Adv。Sci。13/2019)
机译:有机磷化合物的研究。 XI。六甲基磷磷硫氧化芳族化合物氧化芳族化合物(HMPA)。一种制备N,N-二甲基羧酰胺的新方法。
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