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一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法

摘要

本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法,所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质,并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物,得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法,通过非常简单的操作,即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。

著录项

  • 公开/公告号CN110010449B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201910283426.5

  • 发明设计人 刘开辉;刘灿;洪浩;王卿赫;

    申请日2019-04-10

  • 分类号H01L21/04(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/363(20060101);H01L21/365(20060101);

  • 代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;

  • 代理人董柏雷

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:10

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