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一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法

摘要

本发明提供一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法,该方法具有前驱体可在反应过程中移动以实现面内异质结连续生长的特点,实施方法为:将阳离子氧化物前驱体与NaCl固体粉末混合,形成阳离子固体粉末,同阴离子前驱体粉末,一并放入单温区管式炉中,控制单温区管式炉在不同固体粉末混合物所对应的蒸发温度停留一定的生长时间,同时配合前驱体相应的进入或离开衬底附近的生长区域,最后得到二维过渡金属硫族化合物面内异质结,本发明制备出的面内异质结相较于传统一步法和两步法成膜面积和质量均有提高,结区位置污染率降低,且该方法提供的实验条件和成本大幅度降低,为该类型材料工业化生产提供了方向。

著录项

  • 公开/公告号CN112760715A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京交通大学;

    申请/专利号CN202011398074.7

  • 发明设计人 何大伟;白晋轩;王永生;

    申请日2020-12-04

  • 分类号C30B29/46(20060101);C23C14/06(20060101);C23C16/54(20060101);C30B25/00(20060101);

  • 代理机构11392 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张新利;谢建玲

  • 地址 100044 北京市海淀区上园村3号

  • 入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/46 专利申请号:2020113980747 申请公布日:20210507

    发明专利申请公布后的驳回

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