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公开/公告号CN107110782B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 东丽工程株式会社;
申请/专利号CN201680004691.X
发明设计人 村田浩之;大槻真左文;
申请日2016-01-22
分类号G01N21/64(20060101);G01N21/88(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人于靖帅;乔婉
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:26:49
机译: 半导体基板缺陷检查装置,半导体基板缺陷检查方法以及使用该方法的半导体装置制造方法
机译: 半透明材料制成的半透明物品的检查方法,玻璃基板的缺陷,玻璃基板的坯料的缺陷的检查方法及装置,制造方法,制造方法,制造方法,制造方法,制造方法,制造方法半导体器件
机译: 缺陷基板检查装置,使用该检查装置的半导体制造装置以及缺陷基板检查方法
机译:通过缺陷准费米能级控制减少宽带隙半导体中的点缺陷
机译:进化了掩模基板检查技术的大型光掩模基板缺陷检查装置
机译:同步带隙白光X射线形貌,透射电子显微镜和高分辨率X射线衍射研究宽带隙半导体晶体和薄膜中的缺陷和应变松弛过程
机译:基于渗透绝缘层无损内窥镜检查方法检测真空纳米电子装置和IC的缺陷
机译:宽带隙半导体中缺陷的第一性原理研究
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:用超出标准密度泛函理论的方法研究宽带隙材料中的点缺陷=用超出标准密度泛函理论的方法研究宽带隙材料中的点缺陷
机译:宽带隙半导体中点缺陷的电子顺磁共振谱中的超精细相互作用。