Boston University.;
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:石墨烯季化合物SIBCN:通过第一原理研究预测的新型宽带隙半导体
机译:从第一性原理计算得出硫属钡化物的电子性质:定制宽带隙Ⅱ-Ⅵ型半导体
机译:离子化对宽带隙半导体缺陷物理的影响
机译:宽带隙半导体中电导率控制的第一性原理研究。
机译:GA2SE3缺陷半导体:直接频带边缘和光学性能的研究
机译:带隙弯曲和p型掺杂(Zn,mg,Be)O宽间隙 半导体合金:第一原理研究
机译:宽带隙半导体中点缺陷的电子顺磁共振谱中的超精细相互作用。