低接触电阻的三族氮化物p型欧姆电极结构

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及低接触电阻的三族氮化物p型欧姆电极结构，所述电极结构的电极图形线条体的方向均与三族氮化物的第一晶向或第二晶向或第一晶向和第二晶向的等效晶向方向一致，所述第一晶向顺时针旋转120°后与所述第二晶向平行，所述电极结构的焊线电极部分位于电极结构的几何中心或任何电极图形线条体交叉点上。本发明电极结构的目的是为了在p型三族氮化物材料上获得良好的欧姆接触特性，所提出的沿晶向的电极结构能有效利用空穴在三族氮化物材料晶向以及其等效晶向上的高隧穿概率特性，从而降低欧姆接触的电阻率。