一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法

摘要

本发明涉及一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法，外延材料的生长采用金属有机物化学气相淀积等气相外延生长方法，氮化镓外延片自下而上依次包括衬底、下层氮化铝成核层、上层氮化铝成核层氮化铝成核层、氮化镓层过渡层、氮化镓层缓冲层、势垒层和帽层，下层氮化铝成核层和上层氮化铝成核层生长过程使用的载气分别为氢气和氮气，氮化镓层过渡层生长过程中使用的载气为氮气，氮化镓层缓冲层生长过程使用的载气为氢气或者氢气和氮气的混合气。本发明通过载气转换工艺，降低氮化铝成核层和氮化镓层内的缺陷密度，及改善氮化铝成核层、氮化镓层界面的质量，有效降低了氮化镓高电子迁移率场效应管的界面热阻。