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公开/公告号CN110197859B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆邮电大学;
申请/专利号CN201910573499.8
发明设计人 王巍;曾虹谙;赵元遥;毛鼎昌;王冠宇;
申请日2019-06-28
分类号H01L31/107(20060101);H01L31/0352(20060101);
代理机构50232 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙);
代理人赵晨宇
地址 400065 重庆市南岸区崇文路2号
入库时间 2022-08-23 11:23:54
机译: 用于分子检测和鉴别的多键合光电二极管,以及一种制造相同方法的包括CMOS逻辑器件的方法
机译: 一种制备具有珀耳帖元件的CMOS器件的方法和光电二极管
机译: 基于宽带隙材料层和背面照明的光电二极管器件BSI CMOS图像传感器以及包括该光电二极管器件的太阳能电池
机译:具有高带宽和高响应度的集成BiCMOS p-i-n光电探测器
机译:采用标准CMOS工艺制造的光电双控制负差分电阻器件
机译:硅光电倍增管探测器,采用标准CMOS技术的多功能像素电子器件
机译:一种新的变形图,用于检查高级高k金属门CMOS器件中的界面 - 偶极诱导的工作功能变化
机译:先进CMOS工艺中的高能效和高带宽密度单片光学收发器
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:晶圆键合用于si CmOs VLsI电子器件与III-V光电器件的单片集成
机译:光电器件和si-CmOs在砷化镓上的单片集成