MOSFET circuits; Logic gates; Dielectrics; Metals; Stress; Ions; Nitrogen;
机译:新兴CMOS技术中的工艺变化效应,金属门功函数起伏和随机掺杂物起伏
机译:功函数变化对高k /金属栅极无结FinFET和全方位栅极纳米线MOSFET模拟品质因数的影响
机译:利用瑞利分布研究高k /金属门功函数的变化
机译:一个新的变化图,用于检查先进的高k金属栅CMOS器件中界面偶极感应功函数的变化
机译:低压应用先进CMOS系统的变异研究
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:过程变化效应,金属栅极工作函数波动和新兴CMOS技术中的随机掺杂波动