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【2h】

Process-Variation Effect, Metal-Gate Work-Function Fluctuation, and Random-Dopant Fluctuation in Emerging CMOS Technologies

机译：过程变化效应，金属栅极工作函数波动和新兴CMOS技术中的随机掺杂波动

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作者
Yiming Li; Chih-Hong Hwang; Tien-Yeh Li; Ming-Hung Han;
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年度 2010
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