机译:采用标准CMOS工艺制造的光电双控制负差分电阻器件
Tianjin Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China;
Tianjin Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China;
Tianjin Univ, Sch Microelect, Tianjin 300072, Peoples R China;
Tianjin Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China;
Tianjin Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China;
Tianjin Univ, Sch Microelect, Tianjin 300072, Peoples R China;
CMOS; negative differential resistance (NDR); peak-to-valley current ratio (PVCR); photoelectric devices; optical switch;
机译:采用负差分电阻电路的新型多选多值存储器设计,适用于基于标准SiGe的BiCMOS工艺
机译:新型多元值和多值存储器设计,适用于基于标准SiGe的BICMOS工艺的负差分电阻电路
机译:厚度控制剥落工艺制造柔性CMOS器件电气特性研究
机译:或者使用CMOS工艺制造的负差分电阻器件和逻辑电路设计
机译:负差分电阻器件及其电路应用。
机译:原子层沉积在Ru基RRAM器件中的负微分电阻效应
机译:标准CMOS工艺制造的光电双控制负差分电阻器件