Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与CMOS器件的晶片级集成

摘要

正 希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业化CMOS ICs相集成。这项技术是基于一种低温晶片键合方法,将整块GaAs外延片整体接到已完全处理好的CMOS晶片上。上述CMOS晶片的顶层表面覆盖SiO₂,SiO₂是在低于450℃的温度下淀积的,SiO₂