机译:解决纳米级CMOS器件中NiSi硅化物接触金属化的材料和集成问题
Institute of Materials Research and Engineering, 3 Research Link, Singapore 117602, Singapore;
NiSi; films; impurities; contact metallization;
机译:硅化镍作为亚微米CMOS器件的接触材料
机译:双功函数相控Ni全硅化栅极(NMOS:NiSi,PMOS:$ hbox {Ni} _ {2} hbox {Si} $和$ hbox {Ni} _ {31} hbox {Si} _ {12} $ formul
机译:CMOS器件上的Ni(Pt)硅化物触点:衬底性质和Pt浓度对相形成的影响
机译:使用杂质工程解决NiSi硅化物工艺的材料和工艺集成问题
机译:CMOS-MEMS上磁性结构集成中的材料问题。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:CMOS技术中金属栅材料的功函数和工艺集成问题