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一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法

摘要

本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法,所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后,可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法,通过非常简单的操作,在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。

著录项

  • 公开/公告号CN108362694B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201810040236.6

  • 发明设计人 王金焕;徐小志;乔瑞喜;刘开辉;

    申请日2018-01-16

  • 分类号G01N21/84(20060101);

  • 代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;

  • 代理人张肖琪

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:23:06

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