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公开/公告号CN108362694B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201810040236.6
发明设计人 王金焕;徐小志;乔瑞喜;刘开辉;
申请日2018-01-16
分类号G01N21/84(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人张肖琪
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:23:06
机译: -2种用于二维平面电子器件的掺杂过渡金属硫族化合物图案化的结构及其电极的制造方法
机译: 二维过渡金属硫属化物纳米结构,包括该装置的装置以及制备二维过渡金属硫属化物纳米结构的方法
机译: 二维过渡金属硫属化物纳米结构,包括该装置的装置和制备二维过渡金属硫属化物纳米结构的方法
机译:二维6族过渡金属硫族硫化物气相生长受控的最新进展
机译:一种简便,通用的自顶向下制备单分散过渡金属硫族硫化物纳米点的方法
机译:APS -2017 APS中大西洋部分的年会 - 事件 - 金属 - 金属粘合和5D过渡金属硫族化合物中的相变
机译:单层过渡金属硫族化合物中圆偏振光激发下的高阶边带生成
机译:脉冲,红外线,桌面激光器引发过渡金属硼化物和硫族化合物的限制羽状化学沉积
机译:准金属二维过渡金属硫族化物中的各向异性集体电荷激发
机译:二维过渡金属二硫族化合物中激子配合物的扩散量子蒙特卡罗研究
机译:第一届非晶和纳米结构硫族化合物国际研讨会的计划和摘要 - 基础和应用于2001年6月25日至28日在罗马尼亚布加勒斯特举行