退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107492512B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201710421130.6
发明设计人 谭忠魁;徐晴;傅乾;桑军·帕克;
申请日2017-06-07
分类号H01L21/67(20060101);H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠;张华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:22:04
机译: -通过光子辅助等离子体工艺改善线边缘粗糙度
机译: 光子辅助等离子体工艺可改善线边缘粗糙度
机译: 光子辅助等离子体处理改善了线边缘的粗糙度
机译:极紫外光刻中化学放大抗蚀剂线边缘粗糙度形成中感光距离与光子散粒噪声的关系
机译:不要总是怪光子:脱保护模糊,线边缘粗糙度和极端紫外线光刻胶中散粒噪声之间的关系
机译:微光子器件中的局部线边缘粗糙度:电子束光刻研究
机译:通过对光子波导应用的等离子体蚀刻化学优化减少Si和SiN中的线边缘粗糙度
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:线边缘粗糙度对ReRAM均匀性和缩放的影响
机译:等离子体蚀刻过程中侧壁线边缘粗糙度转移的起源,演变和控制
机译:氦I线在等离子体中的线强度比用于融合边缘等离子体的诊断