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机译:不要总是怪光子:脱保护模糊,线边缘粗糙度和极端紫外线光刻胶中散粒噪声之间的关系
Applied Science and Technology Graduate Group, University of California at Berkeley, Berkeley, Berkeley, California 94720;
Center for X-ray Optics, Lawrence Berkeley National Laboratory, I Cyclotron Road, Berkeley, California 94720;
机译:碱和光酸产生剂对极端紫外光致抗蚀剂脱保护模糊的影响以及对散粒噪声的一些思考
机译:使用渗流模型估算极端紫外光刻中由光子散粒噪声引起的光致抗蚀剂的线宽粗糙度。
机译:用于极端紫外线型抗蚀剂的线边缘粗糙度中分辨率模糊和射击噪声的关系
机译:图像平面线边缘粗糙度要求对极端紫外线掩模规格的影响
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:极端紫外线光刻中的系统级线边粗糙度限制