校准曲线的制作方法、碳浓度测定方法及硅晶片的制造方法

摘要

可用少量校准曲线测定含高浓度氧的硅晶片的碳浓度。校准曲线制作方法包括：步骤S11，准备氧浓度彼此不同的晶片组，各晶片组包含氧浓度相同碳浓度不同的硅晶片；步骤S12，以不同照射量对各硅晶片的多个区域照射电子束；步骤S13，对各区域以PL法求得来自硅的第1发光强度与来自碳的第2发光强度之比；步骤S14，将所得数据分类为多个数据集，各数据集中照射量及氧浓度相同，多个数据集中照射量和氧浓度至少一者彼此不同，对每个数据集制作第1校准曲线；步骤S15，选择照射量相同氧浓度不同的一对第1校准曲线，求出它们绘制成双对数图时的斜率差；步骤S16，使用用于制作所选第1校准曲线的数据集中的全部数据制作第2校准曲线。