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硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片

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摘要

本发明提供一种硅试样的碳浓度测定方法，其包括以下步骤：向作为测定对象的硅试样中引入氢原子；对引入了所述氢原子的作为测定对象的硅试样进行利用评价方法的评价，所述评价方法在不进行电子束辐射处理的情况下评价硅的带隙中的陷阱能级；以及在通过所述评价而得到的评价结果中，基于选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的评价结果，求出作为所述测定对象的硅试样的碳浓度，所述求出的碳浓度小于1.0E+16atoms/cm

著录项

公开/公告号CN108886005A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人胜高股份有限公司;
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申请/专利号CN201780020471.0
发明设计人江里口和隆;佐俣秀一;三次伯知;柾田亚由美;
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申请日2017-01-18
分类号
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
入库时间 2023-06-19 07:21:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20170118

实质审查的生效
2018-11-23

公开

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