一种三氧化钨单晶纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种三氧化钨单晶纳米线的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将透明导电基底置于管式炉低温区，WO_2.9原料粉末置于管式炉高温区；(2)对所述管式炉抽真空，从所述高温区通入氧气和氩气的混合气体；(3)在加热条件下进行反应，反应结束后得到所述三氧化钨单晶纳米线。所述制备方法利用双温区化学气相沉积法，通过气流将高温区气化的原料携带至低温区，在基底上沉积生长为具有特定纳米结构的WO₃，制备得到的三氧化钨单晶纳米线作为光阳极表现出优异的光电化学性能。