单晶六方晶相的三氧化钨纳米线的制备及电输运性质的研究

摘要

一维半导体纳米线以其独特的物理化学性质而引起大家的广泛关注，在光信息储存、电子传感、发光显示及单电子传输等方面具有潜在应用前景，因此关于一维半导体纳米线的制备及其电输运性能的研究已成为目前研究的热点。 本论文主要进行以下几项工作： 在第二章中，在管式炉中用热蒸发三氧化钨纳米粉末的方法制备出了单晶六方晶相的三氧化钨纳米线，并对此纳米线的形貌、晶体结构做了详细的表征，对它的合成机理进行分析。通过对三氧化钨纳米线合成条件的探索，并找到高质量单晶六方晶相的三氧化钨纳米线比较理想的合成条件。 在第三章中，首先用交流电场辅助组装的方法通过控制合适的交流电压和频率，实现了单根WO<,3>纳米线的组装。对WO<,3>纳米线的电输运性质进行了测量和分析，发现I-V曲线呈现出非线性的整流行为。对此进行分析，形成这种整流行为的原因是WO<,3>纳米线在电场组装的过程中和电极间形成了不对称的接触，从而引起纳米线的两端和电极间的接触势垒高低的不同。在紫外光的照射下，纳米线的I-V曲线发生了很大的变化，这说明了利用它们组装成的纳米器件具有良好的光开关效应。 在第四章中，探索TiO<,2>/WO<,3>核壳纳米线的制备，对样品的表征结果表明我们用热蒸发样品混合粉末的方法，仅得到了WO<,3>纳米线而不是复合纳米线，我们认为这是由于TiO<,2>的熔沸点太高，而且在2000度以下几乎不升华所导致的。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章绪论

§1.1绪言

§1.2一维纳米材料制备技术的最新进展及发展趋势

§1.2.1热蒸发法的机理

§1.2.2影响制备一维纳米材料的因素

§1.3一维纳米半导体材料和金属接触

§1.3.1肖特基势垒

§1.3.2欧姆接触

§1.5本论文研究的意义、思路及主要内容

§1.5.1论文研究的意义和思路

§1.5.2本论文研究的主要内容

参考文献：

第二章三氧化钨纳米线的制备与结构表征

§2.1背景

§2.1.1气-固(V-S)相合成法的研究进展

§2.2实验部分

§2.2.1实验试剂

§2.2.2测试仪器

§2.2.3试验方法

§2.2.4三氧化钨纳米线制备条件的摸索

§2.2.5六方晶相的三氧化钨纳米线结构的表征

§2.2.6三氧化钨纳米线的合成机理

参考文献：

第三章半导体纳米线的电场组装和电子输运性质的研究

§3.1单根WO3纳米线的组装

§3.1.1背景

§3.1.2组装机理

§3.1.3实验方法和过程

§3.1.4结果分析

§3.2 WO3半导体纳米线电子输运性质的研究

§3.2.1背景

§3.2.2单根WO3纳米线的光电输运性质研究

§3.3本章小结

参考文献：

第四章WO3/TiO2核壳纳米线制备的摸索

§4.1 WO3/TiO2核壳纳米线制备的摸索

§4.1.1背景介绍

§4.1.2试验部分

§4.1.3样品的表征与分析

硕士期间发表和已完成的工作

致谢