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公开/公告号CN108139339B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201680058167.0
发明设计人 长田达弥;金原秀明;江头雅彦;
申请日2016-08-03
分类号G01N21/956(20060101);G01B11/30(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人王岳;闫小龙
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:16:57
机译: 外延晶片背面检查方法,外延晶片背面检查装置,外延生长装置的升降销管理方法以及外延晶片的制造方法
机译: 外延晶片背面检查方法,外延晶片背面检查装置,外延生长装置升降销管理方法和外延晶片制造方法
机译: 外延晶片背面检查方法,外延晶片背面检查设备,外延生长设备的升降销管理方法和外延晶片制造方法
机译:使用硅异质外延上的III-V的SiO2保护层减轻Si晶片背面的砷污染
机译:Si(100)晶片上的Ag(111)纳米丝薄膜的溅射,用于电动装置的背面金属化
机译:接线过程中晶片背面铜污染对装置可靠性的影响
机译:使用Sigma FXP溅射系统沉积Al / Ti / Niv / Ag的背面金属化薄膜晶片晶片
机译:表征硅晶片背面研磨过程的数值模拟。
机译:用AlGaN / GaN异质结构和背面的高电子移动装置激光加工透明晶片
机译:用于硅异质结构的晶片键合外延模板