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公开/公告号CN108122983B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201710853045.7
发明设计人 刘书豪;王参群;陈亮吟;黄净惠;谭伦光;张惠政;
申请日2017-09-20
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 11:15:44
机译: 原位栅极蚀刻工艺用于制造具有高k栅极电介质的窄栅极晶体管结构
机译: 用于晶体管的栅极结构以及具有该栅极结构的晶体管的制造方法
机译: 用于制造用于场效应晶体管的亚光刻栅极结构以及用于制造相关的场效应晶体管,相关的反相器和相关的反相器结构的方法
机译:用于制造深亚微米(<0.35μm)T栅极伪晶型高电子迁移率晶体管结构的新型低温软回流工艺
机译:低损伤的完全自对准替代栅极工艺,用于制造100nm以下深栅极长度的GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:p-GaN栅极结构和制造工艺对常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
机译:通过替代栅极工艺制造的亚100 nm栅极长度的金属栅极NMOS晶体管
机译:参见有关超短栅极MOS场效应晶体管的栅极氧化物和超薄SOI结构的研究利用统计
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:CmOs晶体管栅极制造纳米技术制造集成的蚀刻工艺效应
机译:用于制造亚半微米栅极长度mmIC芯片的组合电子束/光学光刻工艺步骤