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公开/公告号CN108054194B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司;
申请/专利号CN201711234307.8
发明设计人 郭宇锋;杨可萌;张珺;李曼;姚佳飞;张瑛;吉新村;蔡志匡;
申请日2017-11-30
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人徐莹
地址 210012 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号
入库时间 2022-08-23 11:14:33
机译: 其中沟道层具有包括外部半导体层和掺杂的内部半导体层的堆叠结构的三维半导体存储器件
机译: 通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译:利用具有交叉电极的半导体器件中的掺杂层来开发横向电流
机译:使用具有横向不均匀层的样品研究半导体纳米结构中的物理现象。具有n型δ掺杂层的结构的光致发光
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:一种新型600V横向PMOS器件,具有埋入式导电层
机译:用于砷化镓/砷化镓铝异质结器件分析的三维半导体器件仿真器。
机译:具有掺杂孔输送层的钙钛矿发光器件
机译:半导体电路层的三维集成(3DI):新器件和制造工艺
机译:(摘要)具有掺杂pBCO和YBCO正常层的所有外延边缘几何sNs器件